一瓦放大器晶体管 One Watt Amplifier Transistors
One Watt Amplifier Transistors
NPN Silicon
Features
•Pb−Free Packages are Available- .
得捷:
TRANS NPN 60V 0.5A TO92
艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Box
安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Box
频率 50 MHz
额定电压DC 60.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 60 @250mA, 1V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MPSW05G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MPSW05 安森美 | 完全替代 | MPSW05G和MPSW05的区别 |
2N3904BU 飞兆/仙童 | 功能相似 | MPSW05G和2N3904BU的区别 |
2N4401BU 飞兆/仙童 | 功能相似 | MPSW05G和2N4401BU的区别 |