MURS360T3G

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MURS360T3G概述

ON SEMICONDUCTOR  MURS360T3G  快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 3 A, 1.28 V, 75 ns, 75 A

整流器,4A 至 9A,

### 标准

带 NSV- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。


得捷:
DIODE GEN PURP 600V 3A SMC


欧时:
ON Semiconductor 二极管 MURS360T3G 开关, Io=4A, Vrev=600V, 75ns, 2引脚 DO-214AB SMC封装


立创商城:
MURS360T3G


艾睿:
Rectifier Diode Switching 600V 4A 75ns 2-Pin SMC T/R


Allied Electronics:
RECTIFIER, ULTRAFAST; 1.25 V TYP.; 3AIF; 600V; 11; 10 UA TYP. IR; -65


安富利:
Diode Switching 600V 4A 2-Pin SMC T/R


Chip1Stop:
Diode Switching 600V 4A Automotive 2-Pin SMC T/R


TME:
Diode: switching; SMD; 600V; 3A; SMC


Verical:
Diode Switching 600V 4A 2-Pin SMC T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MURS360T3G  Fast / Ultrafast Power Diode, 600 V, 3 A, Single, 1.28 V, 75 ns, 75 A


Win Source:
DIODE GEN PURP 600V 3A SMC


MURS360T3G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 3 A

无卤素状态 Halogen Free

输出电流 3 A

负载电流 3 A

正向电压 1.28 V

极性 Standard

热阻 11℃/W RθJL

反向恢复时间 75 ns

最大反向击穿电压 600 V

正向电流 3 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 75 A

正向电压Max 1.28 V

正向电流Max 4 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AB

外形尺寸

长度 6.86 mm

宽度 5.84 mm

高度 2.13 mm

封装 DO-214AB

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 车用, Power Management, 电源管理, Automotive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

MURS360T3G引脚图与封装图
MURS360T3G引脚图
MURS360T3G封装焊盘图
在线购买MURS360T3G
型号: MURS360T3G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MURS360T3G  快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 3 A, 1.28 V, 75 ns, 75 A
替代型号MURS360T3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MURS360T3G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MURS360T3

安森美

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