MBRM110ET1G

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MBRM110ET1G概述

ON SEMICONDUCTOR  MBRM110ET1G.  整流二极管, 肖特基, 10V VRRM, DO-216AA

肖特基势垒,1A 至 2A,

### 标准

带 NSV-、SBR- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。


欧时:
### 肖特基势垒二极管,1A 至 2A,ON Semiconductor### 标准带 NSV-、SBR- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。### 二极管和整流器,ON Semiconductor


立创商城:
MBRM110ET1G


得捷:
DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE


e络盟:
肖特基整流器, 10 V, 1 A, 单, DO-216AA, 2 引脚, 530 mV


艾睿:
Rectifier Diode Schottky 10V 1A 2-Pin1+Tab Power Mite T/R


Allied Electronics:
ON Semi MBRM110ET1G, SMT Schottky Diode, 10V 1A, 2-Pin Powermite


安富利:
Diode Schottky 10V 1A 2-Pin1+Tab Power Mite T/R


Chip1Stop:
Diode Schottky 10V 1A Automotive 2-Pin1+Tab Power Mite T/R


Verical:
Diode Schottky 10V 1A Automotive 2-Pin1+Tab Power Mite T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MBRM110ET1G  Schottky Rectifier, 10 V, 1 A, Single, DO-216AA, 2 Pins, 530 mV


Win Source:
DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE


MBRM110ET1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 10.0 V

额定电流 1.00 A

无卤素状态 Halogen Free

输出电流 ≤1.00 A

针脚数 2

正向电压 530mV @1A

极性 Standard

热阻 23℃/W RθJL

反向恢复时间 115 ns

正向电流 1 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 50 A

正向电压Max 530 mV

正向电流Max 1 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-216AA

外形尺寸

长度 2.05 mm

宽度 1.15 mm

高度 2.18 mm

封装 DO-216AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MBRM110ET1G引脚图与封装图
MBRM110ET1G引脚图
MBRM110ET1G封装图
MBRM110ET1G封装焊盘图
在线购买MBRM110ET1G
型号: MBRM110ET1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MBRM110ET1G.  整流二极管, 肖特基, 10V VRRM, DO-216AA
替代型号MBRM110ET1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MBRM110ET1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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安森美

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MBRM110ET1G和MBRM110ET1的区别

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MBRM110ET1G和MBRM110ET3的区别

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