MJE182G

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MJE182G概述

ON SEMICONDUCTOR  MJE182G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 50 MHz, 1.5 W, 3 A, 12 hFE 新

通用 PNP ,超过 1A,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

### ,On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

MJE182G中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC 80.0 V

额定电流 3.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 1.5 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

热阻 10℃/W RθJC

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 50 @100mA, 1V

额定功率Max 1.5 W

直流电流增益hFE 50

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 12500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 7.8 mm

宽度 3 mm

高度 11.1 mm

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 工业, Audio, Power Management, Industrial, 音频, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

MJE182G引脚图与封装图
MJE182G引脚图
MJE182G封装焊盘图
在线购买MJE182G
型号: MJE182G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MJE182G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 50 MHz, 1.5 W, 3 A, 12 hFE 新
替代型号MJE182G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ON Semiconductor 安森美

当前型号

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