MJD31CG参数规格_中文资料_数据手册PDF

MJD31CG概述

ON SEMICONDUCTOR MJD31CG 单晶体管双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE

NPN 功率，

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

### ，On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

MJD31CG中文资料参数规格

技术参数

频率 3 MHz

额定电压DC 100 V

额定电流 3.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 15 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

热阻 8.3℃/W RθJC

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V

额定功率Max 1.56 W

直流电流增益hFE 10

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1.56 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Industrial, Power Management, Automotive, Automotive, 工业, Industrial, 车用, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MJD31CG引脚图与封装图

在线购买MJD31CG

型号： MJD31CG

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR MJD31CG 单晶体管双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE

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替代型号MJD31CG

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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