MPS6521RLRAG概述
放大器晶体管 Amplifier Transistors
Bipolar BJT Transistor NPN 25V 100mA 625mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 25V 0.1A TO92
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 100mA 40V NPN
艾睿:
Trans GP BJT NPN 25V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R
MPS6521RLRAG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 300 @2mA, 10V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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