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MPSL51概述

放大器晶体管（ PNP硅） Amplifier TransistorPNP Silicon

Bipolar BJT Transistor PNP 100V 200mA 60MHz 625mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS PNP 100V 0.2A TO92-3

艾睿:
Trans GP BJT PNP 100V 0.6A 3-Pin TO-92

MPSL51中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 100 V

最小电流放大倍数hFE 40 @50mA, 5V

额定功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

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型号： MPSL51

描述：放大器晶体管（ PNP硅） Amplifier TransistorPNP Silicon

替代型号MPSL51