MJE350

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MJE350概述

STMICROELECTRONICS  MJE350  单晶体管 双极, PNP, -300 V, 20.8 W, -500 mA, 240 hFE

高电压,STMicroelectronics

### 双极晶体管,STMicroelectronics

STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP ,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。


欧时:
STMicroelectronics MJE350 , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:30, 3引脚 SOT-32封装


得捷:
TRANS PNP 300V 0.5A SOT32-3


立创商城:
PNP 300V 500mA


艾睿:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


Jameco:
Transistor MJE350 PNP Silicon Power 300 Volt


安富利:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


富昌:
MJE350 Series PNP 300 V 0.5 A Complementary Silicon Power Transistor - SOT-32


TME:
Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; SOT32


Verical:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  MJE350  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 300 V, 20.8 W, 500 mA, 30


DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 300V 0.5A SOT-32


Win Source:
TRANS PNP 300V 0.5A SOT-32


MJE350中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -300 V

额定电流 -500 mA

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 20.8 W

击穿电压集电极-发射极 300 V

最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 10V

额定功率Max 20.8 W

直流电流增益hFE 240

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 7.8 mm

宽度 2.7 mm

高度 10.8 mm

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

MJE350引脚图与封装图
MJE350引脚图
MJE350封装图
MJE350封装焊盘图
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型号: MJE350
描述:STMICROELECTRONICS  MJE350  单晶体管 双极, PNP, -300 V, 20.8 W, -500 mA, 240 hFE
替代型号MJE350
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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