STMICROELECTRONICS MJE350 单晶体管 双极, PNP, -300 V, 20.8 W, -500 mA, 240 hFE
高电压,STMicroelectronics
### 双极晶体管,STMicroelectronics
STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP ,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
欧时:
STMicroelectronics MJE350 , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:30, 3引脚 SOT-32封装
得捷:
TRANS PNP 300V 0.5A SOT32-3
立创商城:
PNP 300V 500mA
艾睿:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube
Jameco:
Transistor MJE350 PNP Silicon Power 300 Volt
安富利:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube
富昌:
MJE350 Series PNP 300 V 0.5 A Complementary Silicon Power Transistor - SOT-32
TME:
Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; SOT32
Verical:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS MJE350 Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 300 V, 20.8 W, 500 mA, 30
DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 300V 0.5A SOT-32
Win Source:
TRANS PNP 300V 0.5A SOT-32
额定电压DC -300 V
额定电流 -500 mA
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 20.8 W
击穿电压集电极-发射极 300 V
最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 10V
额定功率Max 20.8 W
直流电流增益hFE 240
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2800 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 7.8 mm
宽度 2.7 mm
高度 10.8 mm
封装 TO-126-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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