MNR35J5RJ822

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MNR35J5RJ822概述

Res Thick Film Array 8.2KΩ 5% ±200ppm/℃ BUS Molded 10Pin 25128 X 1206 Convex SMD Embossed T/R

8.2k Ohm ±5% 62.5mW Power Per Element Bussed Resistor Network/Array ±200ppm/°C 2512 6432 Metric, Convex, Long Side Terminals


得捷:
RES ARRAY 8 RES 8.2K OHM 2512


Chip1Stop:
Res Thick Film Array 8.2K Ohm 5% ±200ppm/℃ BUS Molded 10-Pin 25128 X 1206 Convex SMD Embossed T/R


Win Source:
RES ARRAY 8 RES 8.2K OHM 2512


MNR35J5RJ822中文资料参数规格
技术参数

触点数 10

额定电压DC 50.0 V

容差 ±5 %

额定功率 63.0 mW

电阻 8.2 kΩ

阻值偏差 ±5 %

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 10

封装公制 6432

封装 2512

外形尺寸

长度 6.4 mm

宽度 3.1 mm

高度 0.55 mm

封装公制 6432

封装 2512

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

温度系数 ±200 ppm/℃

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级 AEC-Q200

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MNR35J5RJ822
型号: MNR35J5RJ822
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:Res Thick Film Array 8.2KΩ 5% ±200ppm/℃ BUS Molded 10Pin 25128 X 1206 Convex SMD Embossed T/R
替代型号MNR35J5RJ822
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MNR35J5RJ822

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

EXBA10P822J

松下

功能相似

MNR35J5RJ822和EXBA10P822J的区别

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