MMBF0202PLT1

功率MOSFET 300毫安， 20伏 Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.9Ω @200mA,10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 1.0-2.4V 耗散功率PdPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| •Low RDSon Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life • Miniature SOT–23 Surface Mount Package Saves Board Space 描述与应用| •低的RDS（on） 提供更高的效率和延长电池寿命 •微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R