NPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
NPN 功率,
### 标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
### ,On Semiconductor
ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
频率 3 MHz
额定电压DC 40.0 V
额定电流 3.00 A
针脚数 3
极性 NPN, PNP
耗散功率 15 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V
额定功率Max 1.56 W
直流电流增益hFE 10
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1560 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MJD31T4G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJD2955T4G 安森美 | 类似代替 | MJD31T4G和MJD2955T4G的区别 |
MJD2955G 安森美 | 类似代替 | MJD31T4G和MJD2955G的区别 |
NJVMJD31T4G 安森美 | 类似代替 | MJD31T4G和NJVMJD31T4G的区别 |