MJD47T4

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MJD47T4概述

STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。

高电压,STMicroelectronics


得捷:
TRANS NPN 250V 1A DPAK


欧时:
STMicroelectronics MJD47T4 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=250 V, HFE:10, 10 MHz, 3引脚 DPAK TO-252封装


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Hi-Volt Fast Sw


e络盟:
双极晶体管


艾睿:
This specially engineered NPN MJD47T4 GP BJT from STMicroelectronics comes with a variety of characteristics including absolute maximum ratings, thermal characteristics, and DC and AC electrical characteristics. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 15000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 250 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans GP BJT NPN 250V 1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 250V 1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 250V 1A 15000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  MJD47T4  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 250 V, 10 MHz, 15 W, 1 A, 150 hFE


Win Source:
TRANS NPN 250V 1A DPAK


MJD47T4中文资料参数规格
技术参数

频率 10 MHz

额定电压DC 250 V

额定电流 1.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 15 W

击穿电压集电极-发射极 250 V

最小电流放大倍数hFE 30 @300mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 150

额定功率Max 15 W

直流电流增益hFE 150

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 15000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MJD47T4引脚图与封装图
MJD47T4引脚图
MJD47T4封装图
MJD47T4封装焊盘图
在线购买MJD47T4
型号: MJD47T4
描述:STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
替代型号MJD47T4
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