MJD117TF

MJD117TF图片1
MJD117TF图片2
MJD117TF图片3
MJD117TF图片4
MJD117TF图片5
MJD117TF图片6
MJD117TF图片7
MJD117TF图片8
MJD117TF图片9
MJD117TF图片10
MJD117TF图片11
MJD117TF图片12
MJD117TF图片13
MJD117TF概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MJD117TF  双极性晶体管, PNP, -100V

Bipolar BJT Transistor


得捷:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, 10


贸泽:
Darlington Transistors PNP Silicon Darl


艾睿:
Trans Darlington PNP 100V 2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
PNP 20 W 100 V 2 A 表面贴装 硅 达林顿晶体管 - TO-252-3


TME:
Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; TO252/DPAK


Verical:
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MJD117TF  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 100 V, 25 MHz, 1.75 W, -2 A, 1000 hFE


Win Source:
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK


DeviceMart:
TRANSISTOR PNP DARL 100V 2A DPAK


MJD117TF中文资料参数规格
技术参数

频率 25 MHz

额定电压DC -100 V

额定电流 -2.00 A

额定功率 1.75 W

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 1.75 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 1000 @2A, 3V

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 1000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 25MHz Min

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.1 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJD117TF
型号: MJD117TF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MJD117TF  双极性晶体管, PNP, -100V
替代型号MJD117TF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJD117TF

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

KSH117TF

飞兆/仙童

类似代替

MJD117TF和KSH117TF的区别

KSH117TM

飞兆/仙童

类似代替

MJD117TF和KSH117TM的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台