MJD2955TF

MJD2955TF图片1
MJD2955TF图片2
MJD2955TF图片3
MJD2955TF图片4
MJD2955TF图片5
MJD2955TF图片6
MJD2955TF图片7
MJD2955TF图片8
MJD2955TF图片9
MJD2955TF图片10
MJD2955TF图片11
MJD2955TF图片12
MJD2955TF图片13
MJD2955TF图片14
MJD2955TF图片15
MJD2955TF概述

Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

Bipolar BJT Transistor PNP 60 V 10 A 2MHz 1.75 W Surface Mount D-Pak


得捷:
TRANS PNP 60V 10A TO252-3


欧时:
### Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Epitaxial Sil


艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
TRANS PNP 60V 10A DPAK


MJD2955TF中文资料参数规格
技术参数

频率 2 MHz

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -10.0 A

极性 PNP

耗散功率 1.75 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 4V

最大电流放大倍数hFE 100

额定功率Max 1.75 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 20 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.1 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJD2955TF
型号: MJD2955TF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号MJD2955TF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJD2955TF

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

MJD2955T4

安森美

类似代替

MJD2955TF和MJD2955T4的区别

KSH2955TF

飞兆/仙童

类似代替

MJD2955TF和KSH2955TF的区别

KSH2955TM

飞兆/仙童

类似代替

MJD2955TF和KSH2955TM的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台