Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Bipolar BJT Transistor PNP 60 V 10 A 2MHz 1.75 W Surface Mount D-Pak
得捷:
TRANS PNP 60V 10A TO252-3
欧时:
### Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Epitaxial Sil
艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
TRANS PNP 60V 10A DPAK
频率 2 MHz
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -10.0 A
极性 PNP
耗散功率 1.75 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 4V
最大电流放大倍数hFE 100
额定功率Max 1.75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.1 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MJD2955TF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MJD2955T4 安森美 | 类似代替 | MJD2955TF和MJD2955T4的区别 |
KSH2955TF 飞兆/仙童 | 类似代替 | MJD2955TF和KSH2955TF的区别 |
KSH2955TM 飞兆/仙童 | 类似代替 | MJD2955TF和KSH2955TM的区别 |