MJD32CTM参数规格_中文资料_数据手册PDF

MJD32CTM概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP 100V 1A Epitaxial

Bipolar BJT Transistor PNP 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Surface Mount D-Pak

得捷:
TRANS PNP 100V 3A TO252-3

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP 100V 1A Epitaxial

艾睿:
Trans GP BJT PNP 100V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 100V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans GP BJT PNP 100V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

MJD32CTM中文资料参数规格

技术参数

频率 3 MHz

额定电压DC -100 V

额定电流 -1.00 A

极性 PNP

耗散功率 1.56 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V

额定功率Max 1.56 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1560 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.1 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJD32CTM

型号： MJD32CTM

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP 100V 1A Epitaxial

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替代型号MJD32CTM

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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