MDD1951RH

MDD1951RH图片1
MDD1951RH中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 4.4A

上升时间 15.2 ns

输入电容Ciss 470pF @30VVds

下降时间 7.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-252-2

外形尺寸

封装 TO-252-2

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: MDD1951RH
制造商: MagnaChip 美格纳
描述:N沟道,60V,17.9A,45.0mΩ@10V

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