MCH6663-TL-W

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MCH6663-TL-W概述

Power MOSFET, 30V, 188m, 1.8A, -30V, 325m, -1.5A, Complementary Dual

Mosfet Array N and P-Channel 30V 1.8A, 1.5A 800mW Surface Mount SC-88FL/MCPH6


得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6


立创商城:
MCH6663-TL-W


贸泽:
MOSFET PCH+NCH 4V DRIVE SER


艾睿:
Power MOSFET, 30V, 188m, 1.8A, -30V, 325m, -1.5A, Complementary Dual


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.8A/1.5A 6-Pin MCPH T/R


MCH6663-TL-W中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 3.6 ns

输入电容Ciss 88pF @10VVds

额定功率Max 800 mW

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MCH6663-TL-W
型号: MCH6663-TL-W
描述:Power MOSFET, 30V, 188m, 1.8A, -30V, 325m, -1.5A, Complementary Dual
替代型号MCH6663-TL-W
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MCH6663-TL-W

ON Semiconductor 安森美

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完全替代

MCH6663-TL-W和MCH6663-TL-H的区别

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