MJD44H11T4G

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MJD44H11T4G概述

ON SEMICONDUCTOR  MJD44H11T4G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 40 hFE 新

NPN 功率,

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
ON Semiconductor MJD44H11T4G , NPN 晶体管, 8 A, Vce=80 V, HFE:40, 85 MHz, 3引脚 DPAK TO-252封装


立创商城:
8 A,80 V,NPN 双极功率晶体管


得捷:
TRANS NPN 80V 8A DPAK


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 40 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Allied Electronics:
ON Semi MJD44H11T4G NPN Bipolar Transistor; 8 A; 80 V; 3-Pin DPAK


安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
MJD 系列 80 V 8 A NPN 互补 功率 电阻 - TO-252-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MJD44H11T4G  Bipolar BJT Single Transistor, Audio, NPN, 80 V, 85 Hz, 20 W, 8 A, 60 hFE


Win Source:
TRANS NPN 80V 8A DPAK


DeviceMart:
TRANS PWR NPN 8A 80V DPAK


MJD44H11T4G中文资料参数规格
技术参数

频率 85 MHz

额定电压DC 80.0 V

额定电流 8.00 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 工业, Industrial, 车用, Signal Processing, Automotive, 信号处理, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MJD44H11T4G引脚图与封装图
MJD44H11T4G引脚图
MJD44H11T4G封装焊盘图
在线购买MJD44H11T4G
型号: MJD44H11T4G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MJD44H11T4G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 40 hFE 新
替代型号MJD44H11T4G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJD44H11T4G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MJD44H11G

安森美

完全替代

MJD44H11T4G和MJD44H11G的区别

MJD44H11T5

安森美

完全替代

MJD44H11T4G和MJD44H11T5的区别

MJD44H11RLG

安森美

类似代替

MJD44H11T4G和MJD44H11RLG的区别

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