
















ON SEMICONDUCTOR MJD44H11T4G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 40 hFE 新
NPN 功率,
### 标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
欧时:
ON Semiconductor MJD44H11T4G , NPN 晶体管, 8 A, Vce=80 V, HFE:40, 85 MHz, 3引脚 DPAK TO-252封装
立创商城:
8 A,80 V,NPN 双极功率晶体管
得捷:
TRANS NPN 80V 8A DPAK
e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 40 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Allied Electronics:
ON Semi MJD44H11T4G NPN Bipolar Transistor; 8 A; 80 V; 3-Pin DPAK
安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
MJD 系列 80 V 8 A NPN 互补 功率 电阻 - TO-252-3
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MJD44H11T4G Bipolar BJT Single Transistor, Audio, NPN, 80 V, 85 Hz, 20 W, 8 A, 60 hFE
Win Source:
TRANS NPN 80V 8A DPAK
DeviceMart:
TRANS PWR NPN 8A 80V DPAK
频率 85 MHz
额定电压DC 80.0 V
额定电流 8.00 A
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V
额定功率Max 1.75 W
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1750 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 工业, Industrial, 车用, Signal Processing, Automotive, 信号处理, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99


| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJD44H11T4G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJD44H11G 安森美 | 完全替代 | MJD44H11T4G和MJD44H11G的区别 |
MJD44H11T5 安森美 | 完全替代 | MJD44H11T4G和MJD44H11T5的区别 |
MJD44H11RLG 安森美 | 类似代替 | MJD44H11T4G和MJD44H11RLG的区别 |