










MJD 系列 60 V 10 A PNP 互补 功率晶体管 - TO-252-3
MJD2955 PNP
MJD3055 NPN
SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS, 20 WATTS
DPAK For Surface Mount Applications
Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
Features
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves No Suffix
• Straight Lead Version in Plastic Sleeves “−1” Suffix
• Electrically Similar to MJE2955 and MJE3055
• DC Current Gain Specified to 10 Amperes
• High Current Gain−Bandwidth Product − fT = 2.0 MHz Min @ IC= 500 mAdc
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in
• ESD Ratings: Human Body Model, 3B 8000 V
Machine Model, C 400 V
• Pb−Free Packages are Available
频率 2 MHz
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -10.0 A
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 1.75 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
热阻 6.25℃/W RθJC
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 4V
额定功率Max 1.75 W
直流电流增益hFE 2
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1750 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99


| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJD2955G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJD2955 安森美 | 完全替代 | MJD2955G和MJD2955的区别 |
KSH2955TF 飞兆/仙童 | 完全替代 | MJD2955G和KSH2955TF的区别 |