MJD2955G

MJD2955G图片1
MJD2955G图片2
MJD2955G图片3
MJD2955G图片4
MJD2955G图片5
MJD2955G图片6
MJD2955G图片7
MJD2955G图片8
MJD2955G图片9
MJD2955G图片10
MJD2955G图片11
MJD2955G概述

MJD 系列 60 V 10 A PNP 互补 功率晶体管 - TO-252-3

MJD2955 PNP

MJD3055 NPN

SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS, 20 WATTS

DPAK For Surface Mount Applications

Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

Features

• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves No Suffix

• Straight Lead Version in Plastic Sleeves “−1” Suffix

• Electrically Similar to MJE2955 and MJE3055

• DC Current Gain Specified to 10 Amperes

• High Current Gain−Bandwidth Product − fT = 2.0 MHz Min @ IC= 500 mAdc

• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in

• ESD Ratings: Human Body Model, 3B 8000 V

              Machine Model, C 400 V

• Pb−Free Packages are Available

MJD2955G中文资料参数规格
技术参数

频率 2 MHz

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -10.0 A

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 1.75 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

热阻 6.25℃/W RθJC

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 4V

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 2

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MJD2955G引脚图与封装图
MJD2955G引脚图
MJD2955G封装焊盘图
在线购买MJD2955G
型号: MJD2955G
描述:MJD 系列 60 V 10 A PNP 互补 功率晶体管 - TO-252-3
替代型号MJD2955G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJD2955G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MJD2955

安森美

完全替代

MJD2955G和MJD2955的区别

KSH2955TF

飞兆/仙童

完全替代

MJD2955G和KSH2955TF的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司