MJE210G

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MJE210G概述

ON SEMICONDUCTOR  MJE210G  单晶体管 双极, PNP, -40 V, 65 MHz, 15 W, -5 A, 10 hFE 新

- 双极 BJT - 单 PNP 40 V 5 A 65MHz 15 W 通孔 TO-126


欧时:
BIP C77 PNP 5A 25V


得捷:
TRANS PNP 40V 5A TO126


立创商城:
MJE210G


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W PNP


e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -40 V, 65 MHz, 15 W, -5 A, 10 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Allied Electronics:
TRANS PNP 40V 5A TO225AA


安富利:
Trans GP BJT PNP 25V 5A 3-Pin3+Tab TO-225 Bulk


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 25V 5A 3-Pin3+Tab TO-225 Bulk


Verical:
Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MJE210G  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 25 V, 65 MHz, 15 W, 5 A, 65 hFE


Win Source:
TRANS PNP 40V 5A TO225AA


MJE210G中文资料参数规格
技术参数

频率 65 MHz

额定电压DC -25.0 V

额定电流 -5.00 A

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 15 W

增益频宽积 65 MHz

击穿电压集电极-发射极 40 V

热阻 8.34℃/W RθJC

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 45 @2A, 1V

额定功率Max 15 W

直流电流增益hFE 65

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 15000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-225-3

外形尺寸

长度 7.8 mm

宽度 2.66 mm

高度 11.04 mm

封装 TO-225-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 工业, Audio, Power Management, Industrial, 音频, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MJE210G引脚图与封装图
MJE210G引脚图
MJE210G封装焊盘图
在线购买MJE210G
型号: MJE210G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MJE210G  单晶体管 双极, PNP, -40 V, 65 MHz, 15 W, -5 A, 10 hFE 新
替代型号MJE210G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJE210G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MJE210TG

安森美

完全替代

MJE210G和MJE210TG的区别

KSE210STU

安森美

完全替代

MJE210G和KSE210STU的区别

2N4918G

安森美

类似代替

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