MJD117T4

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MJD117T4概述

STMICROELECTRONICS  MJD117T4  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 20 W, -2 A, 200 hFE

PNP 复合,STMicroelectronics

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STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP ,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。


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MJD117T4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -2.00 A

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

最小电流放大倍数hFE 1000 @2A, 3V

额定功率Max 20 W

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 25MHz Min

耗散功率Max 20000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MJD117T4引脚图与封装图
MJD117T4引脚图
MJD117T4封装图
MJD117T4封装焊盘图
在线购买MJD117T4
型号: MJD117T4
描述:STMICROELECTRONICS  MJD117T4  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 20 W, -2 A, 200 hFE
替代型号MJD117T4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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