STMICROELECTRONICS MJD117T4 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 20 W, -2 A, 200 hFE
PNP 复合,STMicroelectronics
### 双极晶体管,STMicroelectronics
STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP ,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
立创商城:
MJD117T4
得捷:
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
欧时:
### PNP 复合晶体管,STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
e络盟:
双极BJT达林顿晶体管, PNP, -100 V, 20 W, -2 A, 200 hFE
艾睿:
Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans Darlington PNP 100V 2A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R
富昌:
MJD117 Series 100 V 2 A PNP Complementary Power Darlington Transistor - TO-252-3
Chip1Stop:
Trans Darlington PNP 100V 2A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R
Verical:
Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS MJD117T4 Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -100 V, 20 W, -2 A, 200
DeviceMart:
TRANS PWR DARL SILICON D-PAK
Win Source:
TRANS PNP DARL 100V 2A D-PAK
额定电压DC -100 V
额定电流 -2.00 A
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
最小电流放大倍数hFE 1000 @2A, 3V
额定功率Max 20 W
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 25MHz Min
耗散功率Max 20000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
MJD117T4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
MJD117T4G 安森美 | 功能相似 | MJD117T4和MJD117T4G的区别 |
MJD117G 安森美 | 功能相似 | MJD117T4和MJD117G的区别 |
MJD117TF 飞兆/仙童 | 功能相似 | MJD117T4和MJD117TF的区别 |