双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Silicon
General Purpose and Switching Applications
• DC Current Gain Specified to IC= 10 A
• High Current Gain Bandwidth Product : fT = 2MHz Min.
得捷:
TRANS PNP 60V 10A TO220-3
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Silicon
艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail
富昌:
PNP 75 W 60 V 10 A 法兰安装 外延硅 晶体管 - TO-220-3
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail
Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MJE2955TTU Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -60 V, 2 MHz, 75 W, -10 A, 20 hFE
频率 2 MHz
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -10.0 A
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 75 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 4V
最大电流放大倍数hFE 100
额定功率Max 600 mW
直流电流增益hFE 20
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MJE2955TTU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MJE3055TTU 飞兆/仙童 | 类似代替 | MJE2955TTU和MJE3055TTU的区别 |
KSE2955TTU 飞兆/仙童 | 类似代替 | MJE2955TTU和KSE2955TTU的区别 |
MJE2955T 意法半导体 | 功能相似 | MJE2955TTU和MJE2955T的区别 |