MJD2955T4G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MJD2955T4G概述

ON SEMICONDUCTOR MJD2955T4G Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -60 V, 2 MHz, 1.75 W, -10 A, 5 hFE 新

PNP 功率，

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

### ，On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

MJD2955T4G中文资料参数规格

技术参数

频率 2 MHz

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -10.0 A

针脚数 3

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 1.75 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 4V

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 5

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MJD2955T4G引脚图与封装图

在线购买MJD2955T4G

型号： MJD2955T4G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR MJD2955T4G Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -60 V, 2 MHz, 1.75 W, -10 A, 5 hFE 新

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替代型号MJD2955T4G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MJD2955T4G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MJD2955T4 安森美	完全替代	MJD2955T4G和MJD2955T4的区别
KSH2955TF 安森美	完全替代	MJD2955T4G和KSH2955TF的区别
MJD2955G 安森美	类似代替	MJD2955T4G和MJD2955G的区别