STMICROELECTRONICS MJD45H11T4 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 20 W, -8 A, 40 hFE
PNP 功率,STMicroelectronics
### 双极晶体管,STMicroelectronics
STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP ,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
欧时:
### PNP 功率晶体管,STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
立创商城:
PNP 80V 8A
得捷:
TRANS PNP 80V 8A DPAK
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Gen Pur Switch
e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 20 W, -8 A, 40 hFE
艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
MJD45H11 系列 80 V 8 A 互补硅PNP晶体管 - DPAK
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
儒卓力:
**PNP TRANSISTOR 80V 8A 20W DPAK **
DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 8A 80V D-PAK
Win Source:
TRANS PNP 80V 8A D-PAK
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -8.00 A
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V
额定功率Max 20 W
直流电流增益hFE 40
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
MJD45H11T4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
MJD45H11RL 安森美 | 类似代替 | MJD45H11T4和MJD45H11RL的区别 |
MJD45H11G 安森美 | 功能相似 | MJD45H11T4和MJD45H11G的区别 |
MJD45H11TM 飞兆/仙童 | 功能相似 | MJD45H11T4和MJD45H11TM的区别 |