MBR1240MFST1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MBR1240MFST1G概述

12A, 40V Schottky Diode in SO-8FL 12A 40V Schottky Diode

肖特基 40 V 12A 表面贴装型

立创商城:
40V 12A 530mV@12A

得捷:
DIODE SCHOTTKY 40V 12A 5DFN

艾睿:
Diode Schottky 40V 12A 5-Pin4+Tab SO-FL T/R

安富利:
Diode Schottky 40V 12A 4-Pin DFN T/R

MBR1240MFST1G中文资料参数规格

技术参数

正向电压 680mV @12A

正向电流Max 12 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MBR1240MFST1G

型号： MBR1240MFST1G

描述：12A, 40V Schottky Diode in SO-8FL 12A 40V Schottky Diode

替代型号MBR1240MFST1G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MBR1240MFST1G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MBR1240MFST3G 安森美	完全替代	MBR1240MFST1G和MBR1240MFST3G的区别
NRVB1240MFST1G 安森美	完全替代	MBR1240MFST1G和NRVB1240MFST1G的区别
NRVB1240MFST3G 安森美	完全替代	MBR1240MFST1G和NRVB1240MFST3G的区别