MJD42CRLG

MJD42CRLG图片1
MJD42CRLG图片2
MJD42CRLG图片3
MJD42CRLG图片4
MJD42CRLG图片5
MJD42CRLG图片6
MJD42CRLG图片7
MJD42CRLG图片8
MJD42CRLG图片9
MJD42CRLG图片10
MJD42CRLG图片11
MJD42CRLG图片12
MJD42CRLG图片13
MJD42CRLG图片14
MJD42CRLG概述

PNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

PNP 功率,

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PNP 100V 6A DPAK


欧时:
ON Semiconductor MJD42CRLG , PNP 晶体管, 6 A, Vce=100 V, HFE:15, 1 MHz, 3引脚 DPAK TO-252封装


立创商城:
MJD42CRLG


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 6A 100V 20W PNP


艾睿:
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Allied Electronics:
ON Semi MJD42CRLG PNP Bipolar Transistor; 6 A; 100 V; 3-Pin DPAK


安富利:
Trans GP BJT PNP 100V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MJD42CRLG  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 100 V, 3 MHz, 20 W, -6 A, 30 hFE


Win Source:
TRANS PNP 100V 6A DPAK / Bipolar BJT Transistor PNP 100 V 6 A 3MHz 1.75 W Surface Mount DPAK


MJD42CRLG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -6.00 A

极性 PNP

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 15 @3A, 4V

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJD42CRLG
型号: MJD42CRLG
描述:PNP 功率晶体管,ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
替代型号MJD42CRLG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJD42CRLG

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

NJVMJD42CRLG

安森美

完全替代

MJD42CRLG和NJVMJD42CRLG的区别

MJD42CRL

安森美

完全替代

MJD42CRLG和MJD42CRL的区别

MJD42CT4G

安森美

类似代替

MJD42CRLG和MJD42CT4G的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司