













PNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
PNP 功率,
### 标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS PNP 100V 6A DPAK
欧时:
ON Semiconductor MJD42CRLG , PNP 晶体管, 6 A, Vce=100 V, HFE:15, 1 MHz, 3引脚 DPAK TO-252封装
立创商城:
MJD42CRLG
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 6A 100V 20W PNP
艾睿:
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Allied Electronics:
ON Semi MJD42CRLG PNP Bipolar Transistor; 6 A; 100 V; 3-Pin DPAK
安富利:
Trans GP BJT PNP 100V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MJD42CRLG Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 100 V, 3 MHz, 20 W, -6 A, 30 hFE
Win Source:
TRANS PNP 100V 6A DPAK / Bipolar BJT Transistor PNP 100 V 6 A 3MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
额定电压DC -100 V
额定电流 -6.00 A
极性 PNP
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 6A
最小电流放大倍数hFE 15 @3A, 4V
额定功率Max 1.75 W
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1750 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJD42CRLG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NJVMJD42CRLG 安森美 | 完全替代 | MJD42CRLG和NJVMJD42CRLG的区别 |
MJD42CRL 安森美 | 完全替代 | MJD42CRLG和MJD42CRL的区别 |
MJD42CT4G 安森美 | 类似代替 | MJD42CRLG和MJD42CT4G的区别 |