ON SEMICONDUCTOR MJD50G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 10 MHz, 1.56 W, 1 A, 30 hFE
高电压，
### 标准
带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### ，On Semiconductor
ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
频率 10 MHz
额定电压DC 400 V
额定电流 1.00 A
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 1.56 W
增益频宽积 10 MHz
击穿电压集电极-发射极 400 V
热阻 8.33℃/W RθJC
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 30 @300mA, 10V
额定功率Max 1.56 W
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1560 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 车用, 电源管理, 工业, Audio, Automotive, 音频, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJD50G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NJVMJD50T4G 安森美 | 完全替代 | MJD50G和NJVMJD50T4G的区别 |
MJD50TF 安森美 | 完全替代 | MJD50G和MJD50TF的区别 |
MJD50 安森美 | 完全替代 | MJD50G和MJD50的区别 |