MJD122

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MJD122概述

互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistor

Complementary Darlington Power Transistor

DPAK For Surface Mount Applications

Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

Features

• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves

• Surface Mount Replacements for 2N6040−2N6045 Series, TIP120−TIP122 Series, and TIP125−TIP127 Series

• Monolithic Construction With Built−in Base−Emitter Shunt Resistors

• High DC Current Gain: hFE = 2500 Typ @ IC = 4.0 Adc

• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in

• ESD Ratings:

   ♦ Human Body Model, 3B > 8000 V

   ♦ Machine Model, C > 400 V

• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

MJD122中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 8.00 A

极性 NPN

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 1000

最大电流放大倍数hFE 12000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

最小包装 2500

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJD122
型号: MJD122
描述:互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistor
替代型号MJD122
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