MBRD1035CTLT4G

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MBRD1035CTLT4G概述

ON SEMICONDUCTOR  MBRD1035CTLT4G  肖特基整流器, 双共阴极, 35 V, 10 A, TO-252, 3 引脚, 560 mV

肖特基势垒,10A 至 25A,

### 标准

带 NSV- 或 SBR- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。


立创商城:
MBRD1035CTLT4G


得捷:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V 5A DPAK


欧时:
ON Semiconductor 二极管 MBRD1035CTLT4G 肖特基, Io=10A, Vrev=35V, 3引脚 DPAK TO-252封装


艾睿:
Rectifier Diode Schottky Si 35V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Allied Electronics:
ON Semi MBRD1035CTLT4G, SMT Schottky Diode, 35V 10A, 3-Pin DPAK


安富利:
Diode Schottky 35V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Diode Schottky 35V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Diode: Schottky rectifying; SMD; 35V; 2x5A; DPAK


Verical:
Rectifier Diode Schottky Si 35V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MBRD1035CTLT4G  Schottky Rectifier, 35 V, 10 A, Dual Common Cathode, TO-252, 3 Pins, 560 mV


Win Source:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V 5A DPAK


MBRD1035CTLT4G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 35.0 V

额定电流 10.0 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

正向电压 0.56 V

反向恢复时间 1.3 ns

正向电流 10 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 50 A

正向电压Max 560 mV

正向电流Max 10 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.22 mm

宽度 6.73 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 车用, Power Management, Automotive, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

MBRD1035CTLT4G引脚图与封装图
MBRD1035CTLT4G引脚图
MBRD1035CTLT4G封装焊盘图
在线购买MBRD1035CTLT4G
型号: MBRD1035CTLT4G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MBRD1035CTLT4G  肖特基整流器, 双共阴极, 35 V, 10 A, TO-252, 3 引脚, 560 mV
替代型号MBRD1035CTLT4G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MBRD1035CTLT4G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

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