功率MOSFET的12A ， 60V P沟道DPAK Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -12A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.185Ω @6A,10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 2.0-4.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 2.1W Description & Applications| Features • Avalanche Energy Specified • IDSS and VDSon Specified at Elevated Temperature • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| •雪崩能量 •IDSS和VDS（上） 指定高温 •无铅包可用
得捷:
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -12.0 A
耗散功率 60W Tc
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 770pF @25VVds
下降时间 39 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MTD2955VT4 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MTD2955V 安森美 | 功能相似 | MTD2955VT4和MTD2955V的区别 |
MTD2955VT4G 安森美 | 功能相似 | MTD2955VT4和MTD2955VT4G的区别 |
MTD2955VG 安森美 | 功能相似 | MTD2955VT4和MTD2955VG的区别 |