MCP662T-E/SN参数规格_中文资料_数据手册PDF

MCP662T-E/SN概述

60兆赫， 6毫安运算放大器 60 MHz, 6 mA Op Amps

General Purpose Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC

得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

艾睿:
OP Amp Dual GP R-R O/P 5.5V Automotive 8-Pin SOIC N T/R

安富利:
OP Amp Dual GP R-R O/P 5.5V 8-Pin SOIC N T/R

MCP662T-E/SN中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 2.50V min

输出电流 ≤150 mA

供电电流 6 mA

电路数 2

通道数 2

输入补偿漂移 2.00 µV/K

增益频宽积 60 MHz

输入补偿电压 1.8 mV

输入偏置电流 6 pA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

共模抑制比Min 64 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

MCP662T-E/SN引脚图与封装图

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型号： MCP662T-E/SN

描述：60兆赫， 6毫安运算放大器 60 MHz, 6 mA Op Amps

替代型号MCP662T-E/SN