MBR860MFST1G

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MBR860MFST1G概述

Diode Schottky 60V 8A 4Pin DFN T/R

Diode Schottky 60V 8A Surface Mount 5-DFN 5x6 8-SOFL


得捷:
DIODE SCHOTTKY 60V 8A 5DFN


立创商城:
60V 8A 650mV@8A


艾睿:
Diode Switching 60V 8A 5-Pin4+Tab SO-FL T/R


安富利:
Diode Schottky 60V 8A 4-Pin DFN T/R


Verical:
Rectifier Diode Schottky 60V 8A 5-Pin4+Tab SO-FL T/R


Win Source:
SWITCHMODE Power Rectifiers | DIODE SCHOTTKY 60V 8A 5DFN


MBR860MFST1G中文资料参数规格
技术参数

正向电压 800mV @8A

正向电流 8000 mA

正向电流Max 8000 mA

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买MBR860MFST1G
型号: MBR860MFST1G
描述:Diode Schottky 60V 8A 4Pin DFN T/R
替代型号MBR860MFST1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ON Semiconductor 安森美

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