MJD31C

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MJD31C概述

互补功率晶体管 Complementary Power Transistors

Complementary Power Transistors

**DPAK For Surface Mount Applications**

Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

**Features**

• Pb−Free Packages are Available

• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves

• Straight Lead Version in Plastic Sleeves “1” Suffix

• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel “T4” Suffix

• Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP32 Series

• Epoxy Meets UL 94, V−0 @ 0.125 in

• ESD Ratings: Human Body Model, 3B 8000 V Machine Model, C 400 V

MJD31C中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 1560 mW

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 10

最大电流放大倍数hFE 50

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1560 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DPAK-252

外形尺寸

封装 DPAK-252

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

最小包装 2500

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJD31C
型号: MJD31C
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
替代型号MJD31C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJD31C

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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