MTD6N20E

MTD6N20E中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 6A

上升时间 29 ns

输入电容Ciss 342pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DPAK-252

外形尺寸

封装 DPAK-252

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MTD6N20E
型号: MTD6N20E
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:功率MOSFET 6安培, 200伏特N沟道DPAK Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N−Channel DPAK
替代型号MTD6N20E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ON Semiconductor 安森美

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