ON SEMICONDUCTOR MTD6N15T4G 场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 6A, D-PAK
N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,
### MOSFET ,ON Semiconductor
得捷:
MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
欧时:
### N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
贸泽:
MOSFET NFET DPAK 150V 6A 300mOhm
e络盟:
场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 6A, D-PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Allied Electronics:
MTD6N15T4G N-channel MOSFET Transistor, 6 A, 150 V, 3-Pin DPAK
立创商城:
N沟道,150V,6A,300mΩ@10V
Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MTD6N15T4G MOSFET Transistor, N Channel, 6 A, 150 V, 300 mohm, 10 V, 4.5 V
力源芯城:
6A,150V,DPAK-4,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
额定电压DC 150 V
额定电流 6.00 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
阈值电压 4.5 V
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
上升时间 180 ns
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
额定功率Max 1.25 W
下降时间 100 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1.25W Ta, 20W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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