MTD6N15T4G

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MTD6N15T4G概述

ON SEMICONDUCTOR  MTD6N15T4G  场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 6A, D-PAK

N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,

### MOSFET ,ON Semiconductor


得捷:
MOSFET N-CH 150V 6A DPAK


欧时:
### N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor


贸泽:
MOSFET NFET DPAK 150V 6A 300mOhm


e络盟:
场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 6A, D-PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Allied Electronics:
MTD6N15T4G N-channel MOSFET Transistor, 6 A, 150 V, 3-Pin DPAK


立创商城:
N沟道,150V,6A,300mΩ@10V


Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MTD6N15T4G  MOSFET Transistor, N Channel, 6 A, 150 V, 300 mohm, 10 V, 4.5 V


力源芯城:
6A,150V,DPAK-4,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 150V 6A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 150V 6A DPAK


MTD6N15T4G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 150 V

额定电流 6.00 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.3 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 50 W

阈值电压 4.5 V

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

上升时间 180 ns

输入电容Ciss 1200pF @25VVds

额定功率Max 1.25 W

下降时间 100 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1.25W Ta, 20W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MTD6N15T4G
型号: MTD6N15T4G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MTD6N15T4G  场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 6A, D-PAK
替代型号MTD6N15T4G
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