DPAK PNP 100V 2A
The Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. The MJD112 NPN and MJD117 PNP are complementary devices.
Features
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无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 1750 mW
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 1000 @2A, 3V
额定功率Max 1.75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 25MHz Min
耗散功率Max 1750 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MJD117RLG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJD117T4 安森美 | 完全替代 | MJD117RLG和MJD117T4的区别 |
NJVMJD117T4G 安森美 | 类似代替 | MJD117RLG和NJVMJD117T4G的区别 |
MJD117 安森美 | 类似代替 | MJD117RLG和MJD117的区别 |