MJE13007G

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MJE13007G概述

ON SEMICONDUCTOR  MJE13007G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 14 MHz, 80 W, 8 A, 4 hFE

高电压,

### 标准

带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


立创商城:
MJE13007G


得捷:
TRANS NPN 400V 8A TO220


欧时:
### 高电压晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管


艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Allied Electronics:
ON Semi MJE13007G NPN High Voltage Bipolar Transistor, 8 A, 400V, 4-Pin TO-220AB


安富利:
Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB


Verical:
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MJE13007G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 400 V, 14 MHz, 80 W, 8 A, 4 hFE


Win Source:
TRANS NPN 400V 8A TO220AB


MJE13007G中文资料参数规格
技术参数

频率 14 MHz

额定电压DC 400 V

额定电流 8.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 80 W

上升时间 1.5 µs

击穿电压集电极-发射极 400 V

热阻 1.56℃/W RθJC

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 5 @5A, 5V

额定功率Max 80 W

直流电流增益hFE 4

下降时间 0.7 µs

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 80000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.28 mm

宽度 4.82 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MJE13007G引脚图与封装图
MJE13007G引脚图
MJE13007G封装焊盘图
在线购买MJE13007G
型号: MJE13007G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MJE13007G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 14 MHz, 80 W, 8 A, 4 hFE
替代型号MJE13007G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJE13007G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MJE13007

安森美

完全替代

MJE13007G和MJE13007的区别

TIP142TTU

安森美

类似代替

MJE13007G和TIP142TTU的区别

BUL381D

意法半导体

功能相似

MJE13007G和BUL381D的区别

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