ON SEMICONDUCTOR MJE13007G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 14 MHz, 80 W, 8 A, 4 hFE
高电压,
### 标准
带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
立创商城:
MJE13007G
得捷:
TRANS NPN 400V 8A TO220
欧时:
### 高电压晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Allied Electronics:
ON Semi MJE13007G NPN High Voltage Bipolar Transistor, 8 A, 400V, 4-Pin TO-220AB
安富利:
Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
TME:
Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Verical:
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MJE13007G Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 400 V, 14 MHz, 80 W, 8 A, 4 hFE
Win Source:
TRANS NPN 400V 8A TO220AB
频率 14 MHz
额定电压DC 400 V
额定电流 8.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 80 W
上升时间 1.5 µs
击穿电压集电极-发射极 400 V
热阻 1.56℃/W RθJC
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 5 @5A, 5V
额定功率Max 80 W
直流电流增益hFE 4
下降时间 0.7 µs
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 80000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Industrial, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MJE13007G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJE13007 安森美 | 完全替代 | MJE13007G和MJE13007的区别 |
TIP142TTU 安森美 | 类似代替 | MJE13007G和TIP142TTU的区别 |
BUL381D 意法半导体 | 功能相似 | MJE13007G和BUL381D的区别 |