STMICROELECTRONICS MJE172 单晶体管 双极, PNP, 80 V, 50 MHz, 12.5 W, 3 A, 50 hFE
Bipolar BJT Transistor PNP 80V 3A 50MHz 12.5W Through Hole SOT-32-3
得捷:
TRANS PNP 80V 3A SOT32-3
艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 3A 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube
安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 3A 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 3A 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube
Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 3A 12500mW 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube
Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 50 MHz, 12.5 W, 3 A, 50 hFE
频率 50 MHz
额定电压DC -100 V
额定电流 -3.00 A
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 12.5 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 50 @100mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 12.5 W
直流电流增益hFE 50
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 12500 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
宽度 2.7 mm
封装 TO-126-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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