ON SEMICONDUCTOR MJE2955TG 双极晶体管
PNP 功率，
### 标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### ，On Semiconductor
ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
频率 2 MHz
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -10.0 A
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 75 W
增益频宽积 2 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
热阻 1.67℃/W RθJC
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 4V
额定功率Max 75 W
直流电流增益hFE 2
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 75000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.28 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.28 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJE2955TG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJE2955TTU 安森美 | 类似代替 | MJE2955TG和MJE2955TTU的区别 |
MJE2955T 安森美 | 类似代替 | MJE2955TG和MJE2955T的区别 |