ON SEMICONDUCTOR MJB45H11T4G 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 40 MHz, 50 W, -10 A, 40 hFE
- 双极 BJT - 单 PNP 40MHz 表面贴装型 D²PAK
欧时:
ON Semiconductor, MJB45H11T4G
得捷:
TRANS PNP 80V 10A D2PAK
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MJB45H11T4G
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双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 8A 80V 50W PNP
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Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
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Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MJB45H11T4G Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -80 V, 40 MHz, 50 W, -10 A, 40 hFE
Win Source:
TRANS PNP 80V 10A D2PAK-3
DeviceMart:
TRANS PWR PNP 10A 80V D2PAK-3
频率 40 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -10.0 A
针脚数 3
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 50 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 40
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.29 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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