MJE5731G

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MJE5731G概述

高电压晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

高电压,

### 标准

带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
ON Semiconductor MJE5731G , PNP 晶体管, 1 A, Vce=350 V, HFE:10, 2 MHz, 3引脚 TO-220封装


立创商城:
MJE5731G


得捷:
TRANS PNP 350V 1A TO220


e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -350 V, 10 MHz, 40 W, -1 A, 10 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Allied Electronics:
ON Semi MJE5731G PNP High Voltage Bipolar Transistor, 1 A, 350 V, 3-Pin TO-220


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 350V 1A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Verical:
Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
TRANSISTOR, PNP, -350V, 40W, TO-220


MJE5731G中文资料参数规格
技术参数

频率 10 MHz

额定电压DC -350 V

额定电流 -1.00 A

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 40 W

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 30 @300mA, 10V

额定功率Max 40 W

直流电流增益hFE 10

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 40000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.28 mm

宽度 4.82 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MJE5731G引脚图与封装图
MJE5731G引脚图
MJE5731G封装焊盘图
在线购买MJE5731G
型号: MJE5731G
描述:高电压晶体管,ON Semiconductor ### 标准 带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
替代型号MJE5731G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJE5731G

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当前型号

当前型号

MJE5731

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