















高电压晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
高电压,
### 标准
带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
欧时:
ON Semiconductor MJE5731G , PNP 晶体管, 1 A, Vce=350 V, HFE:10, 2 MHz, 3引脚 TO-220封装
立创商城:
MJE5731G
得捷:
TRANS PNP 350V 1A TO220
e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -350 V, 10 MHz, 40 W, -1 A, 10 hFE
艾睿:
Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Allied Electronics:
ON Semi MJE5731G PNP High Voltage Bipolar Transistor, 1 A, 350 V, 3-Pin TO-220
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 350V 1A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Verical:
Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
TRANSISTOR, PNP, -350V, 40W, TO-220
频率 10 MHz
额定电压DC -350 V
额定电流 -1.00 A
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 40 W
击穿电压集电极-发射极 350 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 30 @300mA, 10V
额定功率Max 40 W
直流电流增益hFE 10
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 40000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99


| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJE5731G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJE5731 安森美 | 类似代替 | MJE5731G和MJE5731的区别 |
2SA1293-Y 东芝 | 功能相似 | MJE5731G和2SA1293-Y的区别 |