MJE15032G

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MJE15032G概述

ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

高电压,

### 标准

带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN 250V 8A TO220


立创商城:
MJE15032G


欧时:
### 高电压晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 8A 250V 50W NPN


艾睿:
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Allied Electronics:
Transistor; Bipolar; NPN Bipolar; Silicon; TO-220; 250; 250; 5; 8 Adc Collector


安富利:
Trans GP BJT NPN 250V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 250V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB


Verical:
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MJE15032G  Bipolar BJT Single Transistor, Audio, NPN, 250 V, 30 MHz, 50 W, 8 A, 70 hFE


Win Source:
TRANS NPN 250V 8A TO220AB


MJE15032G中文资料参数规格
技术参数

频率 30 MHz

额定电压DC 250 V

额定电流 8.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 50 W

击穿电压集电极-发射极 250 V

热阻 2.5℃/W RθJC

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 10 @2A, 5V

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 70

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.28 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.28 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Audio, 音频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MJE15032G引脚图与封装图
MJE15032G引脚图
MJE15032G封装图
MJE15032G封装焊盘图
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型号: MJE15032G
描述:ON Semiconductor ### 标准 带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
替代型号MJE15032G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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