MBRF10100-E3/4W

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MBRF10100-E3/4W概述

TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,高达 20A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor

**Features:**

* Trench MOS Schottky technology

* Lower Power Losses, High Efficiency

* Low Forward Voltage Drop

* High Forward Surge Capability

* High Frequency Operation

* Meets MSL Level 1, Per J-STD-020, LF Maximum Peak of 245°C For TO-263AB Package

* Solder Dip 260°C, 40 s For TO-220AC and ITO-220AC Package

* Component in Accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

**Applications:**

For use in high frequency rectifier of switching mode power supplies, freewheeling diodes, dc-to-dc converters or polarity protection application.

MBRF10100-E3/4W中文资料参数规格
技术参数

正向电压 0.65 V

热阻 3.5℃/W RθJC

正向电流 10 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 150 A

正向电压Max 800 mV

正向电流Max 10 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

长度 10.26 mm

宽度 4.83 mm

高度 15.24 mm

封装 TO-220-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MBRF10100-E3/4W
型号: MBRF10100-E3/4W
描述:TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,高达 20A,Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 ### 特点 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor
替代型号MBRF10100-E3/4W
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Vishay Semiconductor 威世

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MBRF10100-M3/4W

威世

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