MTP6P20E参数规格_中文资料_数据手册PDF

MTP6P20E概述

是功率MOSFET的设计，高能量的雪崩和减刑模式。是功率MOSFET设计，高能量的雪崩和减刑模式。

通孔 P 通道 200 V 6A（Tc） 75W（Tc） TO-220AB

得捷:
MOSFET P-CH 200V 6A TO220AB

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 200V 6A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail

Win Source:
MOSFET P-CH 200V 6A TO-220AB

MTP6P20E中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -200 V

额定电流 -6.00 A

耗散功率 75W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

上升时间 32.0 ns

输入电容Ciss 750pF @25VVds

额定功率Max 75 W

耗散功率Max 75W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： MTP6P20E

描述：是功率MOSFET的设计，高能量的雪崩和减刑模式。是功率MOSFET设计，高能量的雪崩和减刑模式。