MTP12P10G

MTP12P10G图片1
MTP12P10G图片2
MTP12P10G图片3
MTP12P10G图片4
MTP12P10G图片5
MTP12P10G图片6
MTP12P10G图片7
MTP12P10G图片8
MTP12P10G概述

-12A,-100V,P沟道功率MOSFET

This Power MOSFET is designed for medium voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers.

Features

•Silicon Gate for Fast Switching Speeds − Switching Times Specified at 100°C

•Designer’s Data − IDSS, VDSon, VGSthand SOA Specified at Elevated Temperature

•Rugged − SOA is Power Dissipation Limited

•Source−to−Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads

•Pb−Free Package is Available
.
MTP12P10G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -12.0 A

漏源极电阻 300 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 75W Tc

输入电容 920 pF

栅电荷 50.0 nC

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

输入电容Ciss 920pF @25VVds

额定功率Max 75 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 75W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MTP12P10G
型号: MTP12P10G
描述:-12A,-100V,P沟道功率MOSFET
替代型号MTP12P10G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MTP12P10G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MTP12P10

安森美

功能相似

MTP12P10G和MTP12P10的区别

RFP12P10

英特矽尔

功能相似

MTP12P10G和RFP12P10的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司