MTD10N10ELT4参数规格_中文资料_数据手册PDF

MTD10N10ELT4概述

TMOS E- FET功率场效应晶体管DPAK封装的表面贴装 TMOS E−FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount

N-Channel 100V 10A Tc 1.75W Ta, 40W Tc Surface Mount DPAK

得捷:
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

MTD10N10ELT4中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 10.0 A

耗散功率 1.75W Ta, 40W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

上升时间 74.0 ns

输入电容Ciss 1040pF @25VVds

额定功率Max 1.75 W

耗散功率Max 1.75W Ta, 40W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MTD10N10ELT4

型号： MTD10N10ELT4

描述：TMOS E- FET功率场效应晶体管DPAK封装的表面贴装 TMOS E−FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount

替代型号MTD10N10ELT4

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MTD10N10ELT4 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
NTD6600NT4G 安森美	类似代替	MTD10N10ELT4和NTD6600NT4G的区别
NTD6600N 安森美	类似代替	MTD10N10ELT4和NTD6600N的区别
NTD6600NT4 安森美	类似代替	MTD10N10ELT4和NTD6600NT4的区别