P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，
### MOSFET ，ON Semiconductor
得捷:
MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
欧时:
### P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
贸泽:
MOSFET PFET D2PAK 60V 30A 80mOhm
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Allied Electronics:
MTB30P06VT4G P-channel MOSFET Transistor, 30 A, 60 V, 3-Pin D2PAK
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
力源芯城:
30A,60V,D2PAK-4,P沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -30.0 A
通道数 1
漏源极电阻 80 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 3 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±15.0 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 25.9 ns
输入电容Ciss 2190pF @25VVds
额定功率Max 3 W
下降时间 52.4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta, 125W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.29 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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