MJE5851G

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MJE5851G概述

8安培PCP硅功率晶体管300 - 350 - 400伏80瓦 8 AMPERE PCP SILICON POWER TRANSISTORS 300 - 350 - 400 VOLTS 80 WATTS

- 双极 BJT - 单 PNP 350 V 8 A - 80 W 通孔 TO-220AB


得捷:
TRANS PNP 350V 8A TO220


立创商城:
PNP 350V 8A


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 8A 350V 80W PNP


艾睿:
Trans GP BJT PNP 350V 8A 80000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 350V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Verical:
Trans GP BJT PNP 350V 8A 80000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


MJE5851G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -350 V

额定电流 -8.00 A

极性 PNP

耗散功率 80 W

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 5 @5A, 5V

额定功率Max 80 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 80000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.53 mm

宽度 4.83 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJE5851G
型号: MJE5851G
描述:8安培PCP硅功率晶体管300 - 350 - 400伏80瓦 8 AMPERE PCP SILICON POWER TRANSISTORS 300 - 350 - 400 VOLTS 80 WATTS
替代型号MJE5851G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJE5851G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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MJE5851

安森美

完全替代

MJE5851G和MJE5851的区别

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