MTP2P50EG

MTP2P50EG图片1
MTP2P50EG图片2
MTP2P50EG图片3
MTP2P50EG图片4
MTP2P50EG图片5
MTP2P50EG图片6
MTP2P50EG图片7
MTP2P50EG图片8
MTP2P50EG概述

ON SEMICONDUCTOR  MTP2P50EG  晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -500 V, 6 ohm, 10 V, -3 V

通孔 P 通道 500 V 2A(Tc) 75W(Tc) TO-220


得捷:
MOSFET P-CH 500V 2A TO220AB


贸泽:
MOSFET 500V 2A P-Channel


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  MTP2P50EG  晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -500 V, 6 ohm, 10 V, -3 V


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this MTP2P50EG power MOSFET from ON Semiconductor. Its maximum power dissipation is 75000 mW. This product comes in rail packaging to keep individual parts separated and protected. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
MOSFET P-Channel 500V 2A TO220AB


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 500V 2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


力源芯城:
小信号P沟道TO-220AB-3封装场效应管


MTP2P50EG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -500 V

额定电流 -2.00 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 6 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 75 W

输入电容 1.18 nF

栅电荷 27.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 2.00 A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 1183pF @25VVds

额定功率Max 75 W

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 75W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.53 mm

宽度 4.83 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, 电机驱动与控制, Industrial, Power Management, 电源管理, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MTP2P50EG
型号: MTP2P50EG
描述:ON SEMICONDUCTOR  MTP2P50EG  晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -500 V, 6 ohm, 10 V, -3 V
替代型号MTP2P50EG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MTP2P50EG

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MTP2P50E

安森美

类似代替

MTP2P50EG和MTP2P50E的区别

VP2450N8-G

超科

功能相似

MTP2P50EG和VP2450N8-G的区别

NTE2381

NTE Electronics

功能相似

MTP2P50EG和NTE2381的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司