MRF5812GR1参数规格_中文资料_数据手册PDF

MRF5812GR1概述

Trans RF BJT NPN 15V 0.2A 8Pin SOIC T/R

RF Transistor NPN 15V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO

得捷:
RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO

艾睿:
Trans RF BJT NPN 15V 0.2A 8-Pin SOIC T/R

DeviceMart:
TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC

MRF5812GR1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 15 V

增益 13dB ~ 15.5dB

最小电流放大倍数hFE 50 @50mA, 5V

额定功率Max 1.25 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： MRF5812GR1

描述：Trans RF BJT NPN 15V 0.2A 8Pin SOIC T/R

替代型号MRF5812GR1